工业上利用Ga与NH3高温条件下合成固体半导体材料氮化稼(GaN)同时有*气生成。反应中，每生成3molH2时...

问题详情：

工业上利用Ga与NH3高温条件下合成固体半导体材料氮化稼(GaN)同时有*气生成。反应中，每生成3molH2时放出30.8kJ的热量。恒温恒容密闭体系内进行上述反应， 下列有关表达正确的是

A．I图像中如果纵坐标为正反应速率，则t时刻改变的条件可以为升温或加压

B．II图像中纵坐标可以为镓的转化率

C．III图像中纵坐标可以为化学反应速率

D．IV图像中纵坐标可以为体系内混合气体平均相对分子质量

【回答】

A

【详解】

A．I图象中如果纵坐标为正反应速率，升高温度或增大压强，反应速率增大，图象符合题意，A正确；

B．Ga是固体，没有浓度可言，不能计算其转化率，B错误；

C．Ga是固体，其质量不影响反应速率，C错误；

D．反应方程式为2Ga（s）+2NH3（g）2GaN（s）+3H2（g）△H＜0，相同压强下，升高温度，平衡逆向移动，平均相对分子质量增大；相同温度下，增大压强，平衡逆向移动，平均相对分子质量增大，D错误；

*选A。

知识点：化学平衡图像分析

题型：选择题