用“光刻”造句大全，光刻造句

成像质量是光学光刻机的最主要指标，硅片调焦调平测量是光刻机控制成像质量的基础。

本文重点讨论了曲面光刻的关键技术——自动调焦系统，并对曲面工艺及光刻线条进行实验分析。

*基二*苊的光氧化作用在无显影气相光刻中起着重要作用。

介绍了连续微光学元件在光刻胶上的面形控制方法。

本文介绍了同步辐*光刻镜扫描控制系统。

二百纳米光刻技术在微电子制作中起着关键作用，而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。

本文探讨了一种可应用于极紫外光刻光学系统的离轴五反*镜系统，它在光学质量、自由工作距离方面满足了极紫外光刻商业化的要求。

本文设计、光刻的BOE能将入*的激光束整形成空间二维点阵状结构光，且其衍*像是非定域的。

通过双远心成像光路，激光直写（LDW）系统SVG-LDW04把液晶空间光调制器（Lcd-SLM）上的光斑直接成像在光刻胶板上，得到高质量的光斑图形。

本文从投影光刻机的图形传递要求出发，导出投影光刻机各主要光学系统的具体要求，并讨论这些参数确定的局限*。

建立了一种研究激光刻花轧辊表面形貌的三维模型。

我孔殷地祝贺诞辰的到来，愿时光刻都充塞欣喜，照亮前程。

采用该掩模，可进一步解决深x*线光刻中的重复对准多次曝光问题。

由于市场对尼康193 nm液浸式光刻工具的需求有所抬头，加上尼康lcd用步进光刻机业务情况相对稳定。

制造时在透明介质衬底上用光刻法形成要作孔隙结构的厚光刻胶反图案；在衬底上从上往下淀积金属膜；

针对光刻模型的光学成像系统，本文介绍了基本的基于Hopkins公式的曝光系统模型以及Hopkins的近似算法，即所谓的基于特征函数的SOCS算法。

一百介绍了采用光刻离子交换工艺制作平面交叉型微透镜阵列的方法。

激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。

光刻胶的旋涂与烘烤，薄膜材料制备。

通过扫描电镜研究了激光刻花轧辊上刻花点的微观结构。

激光光刻机是一种矮科技的制卡和会员卡制作摆设。

激光刻录不需要工艺图纸，减少登记出错。

本发明还提供了其中感光化合物溶解于溶剂中的感光组合物，使用该感光组合物的光刻胶图案形成方法，和使用该光刻胶的器件制造方法。

为了提高在激光直写设备中光刻系统的写入精度，对光探头调焦系统进行了研究。

因此目前电子束光刻设备主要的用途是用于刻制掩膜板，许多人甚至认为电子束光刻技术的产出量永远也无法满足芯片量产的需求。

研究结果表明，光瞳滤波能大幅度提高投影光刻成像分辨力并增大焦深，是一种比较有效的提高光刻成像质量的技术。

应用于立体光刻技术的耐久*，白*，防水和低收缩的树脂。

Gigaphoton原为小松和Ushio各占50%股份的合资公司,这家公司于2000年8月份成立，主要业务是开发，制造和销售光刻机用准分子激光器光源，并为顾客提供服务，同时还有研发制造248nm/193nm（干式/液浸式系统）光刻机。

据报道Intel正在使用这款光刻机开发其22nm节点制程逻辑芯片产品.目前尼康是Intel32nm制程芯片关键层制造用光刻设备的独家供应商。

提出了采用显微拉曼光谱检测准分子激光微加工质量的新技术，并在有机玻璃和光刻胶制成的齿轮上分别进行了探索。

声盘、视盘及光盘的亚微米圆弧线一般通过激光刻录机光刻制造。

在内衬上用激光刻上标记。

实验发现，与激光直写曝光相比，光刻曝光更有利于胶上图形的陡直度。

本文提出了应用双镀层光刻法制作高温全息光栅的新工艺。

纳米光刻技术在微电子制作中起着关键作用，而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是最好的方法之一。

提出了优化实验参数、增加束掩模和利用刻蚀技术三种改善原子光刻实验的方法。

皮表带的带扣和皮圈均用手工缝制。在内衬上用激光刻上标记。

他们首先用激光刻章机对“硫*纸”进行照*，刻章机就可以把打印的内容自动刻制到硬质塑料上，然后再进行精细的手工雕琢，*便做出来了。

它顺应了光学元件微小化和阵列化的趋势，在光刻、光纤通信、光学信息处理等领域有着广阔的应用前景。

第二个提高特征尺寸可刻*的方法是增加光刻成像工具的数值孔径以及采用浸液式光刻。

二百并且将四片微透镜阵列耦合，形成一个深紫外光刻的象的多孔径微小光刻系统。

钻石激光刻字技术是钻石标记的主流技术。

接近式光刻中一般采用柯勒照明系统，并采用蝇眼透镜形成多点光源均匀掩模面的光场分布。

分析了用光刻胶记录激光散斑来制作粗糙度参数可控表面的方法，并成功地制作了一批样品。

根据部分相干光成像理论和抗蚀剂曝光显影模型，模拟计算了这种灰阶编码掩模产生的空间光强分布和光刻胶上的浮雕结构。

另外，尼康光刻机业务也开始扭亏为盈。

做了激光刻蚀的犁铧钢表面清洗对比试验。

**是一种强*，有毒，并能造成严重烧伤。能与大多数金属起作用，用于蚀刻钢材和光刻。

微电子技术的不断发展，对光刻设备精度的要求越来越高，特别是在一些特殊器件的制作领域，要求基片多次曝光后必须达到较高的套刻精度。

面向全*显示、光刻等应用的蓝绿紫和可见光激光晶体；

提出了一种面向步进扫描投影光刻机的深紫外准分子激光实时曝光剂量控制算法。

下面利用有限积分法模拟形状变化和光刻精度产生的缺陷对负折*谐振频率和通带的影响。

通过对光刻工艺过程的研究，可为较好地控制正*光刻胶面形，制作微机械、微光学器件提供了参考依据，对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义。

再次浇上光刻胶，然后再次用紫外线光刻。

在微电子技术中，通过曝光并显影光刻胶除去芯片上的物质露出剩馀部分的工艺。

无掩模激光干涉光刻中的分束方法一般有波前分割和振幅分割。

提出一种新的步进扫描投影光刻机工件台方镜不平度测量方法。