晶體矽(熔點1410℃)是良好的半導體材料。由粗矽制純矽過程如下:Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(純...
問題詳情:
晶體矽(熔點1 410 ℃)是良好的半導體材料。由粗矽制純矽過程如下:
Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(純)
寫出SiCl4的電子式:______________;在上述由SiCl4制純矽的反應中,測得每生成1.12 kg純矽需吸收a kJ熱量,寫出該反應的熱化學方程式:___________________________。
【回答】
*
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)
ΔH=+0.025a kJ·mol-1
知識點:矽和矽*鹽工業單元測試
題型:填空題