用“禁帶寬度”造句大全，禁帶寬度造句

而鎵*鹽由於具有更好的化學穩定*，較窄的禁帶寬度，更適合用來作為熒光粉材料。

薄膜的禁帶寬度隨摻雜濃度的增大而減小

特別是介電常數與填充比在一定範圍內與禁帶寬度成正比關係；

本文采用光電導光譜分佈法和紅外光*法初步研究了硅晶體中禁帶寬度與應力的關係。

光吸收係數以及禁帶寬度均隨薄膜厚度的增加而下降。

討論了增加禁帶寬度的方法及一維光子晶體全角度反*鏡中存在的問題。

例如，硅和鍺的禁帶寬度分別為1．1電子伏和0．65電子伏。

標籤PbTiO3無定形薄膜折*率禁帶寬度。

普通多層膜繫結構光子晶體的禁帶內能量損失較低，可是禁帶寬度通常有限，而且出現較寬的全角高反帶很難。

VI 族半導體具有大的禁帶寬度、較大的激子束縛能和強的室温激子效應，一向被認為是製備室温激子非線*器件和短波長髮光器件的重要侯選材料之一。