晶體硅(熔點1410℃)是良好的半導體材料。由粗硅制純硅過程如下：Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(純...

問題詳情：

晶體硅(熔點1 410 ℃)是良好的半導體材料。由粗硅制純硅過程如下：

Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(純)

寫出SiCl4的電子式：______________；在上述由SiCl4制純硅的反應中，測得每生成1.12 kg純硅需吸收a kJ熱量，寫出該反應的熱化學方程式：___________________________。

【回答】

*　

SiCl4(g)＋2H2(g)Si(s)＋4HCl(g)

ΔH＝＋0.025a kJ·mol－1

知識點：硅和硅*鹽工業單元測試

題型：填空題