由P、S、Cl、Ni等元素組成的新型材料有着廣泛的用途，回答下列問題。(1)基態Cl原子核外電子排布式爲

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問題詳情：

由P、S、Cl、Ni等元素組成的新型材料有着廣泛的用途，回答下列問題。

(1)基態 Cl原子核外電子排布式爲__________________________，P、S、Cl的第一電離能由大到小順序爲____________________，P、S、Cl的電負*由大到小順序爲_______________。

(2)SCl2分子中的中心原子雜化軌道類型是_____________，該分子構型爲__________。

(3)Ni與CO能形成配合物Ni(CO)4，該分子中配位鍵個數爲_______；以“—”表示σ鍵、“→”表示配位鍵，寫出CO分子的結構式__________。

(4)已知MgO與NiO的晶體結構(如圖1)相同，其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別爲66 pm和69pm。則熔點：MgO_____NiO(填“＞”、“＜”或“＝”)，理由是_______________________________。

(5)若NiO晶胞中離子座標參數A爲(0，0，0)，B爲(1，1，0)，則C離子座標參數爲_______。

(6)金剛石晶胞含有____個碳原子。若碳原子半徑爲r，金剛石晶胞的邊長爲a，根據硬球接觸模型，則r= ______a，列式表示碳原子在晶胞中的空間佔有率____(請用r和a表示不要求計算結果)。

【回答】

【*】 (1). 1s22s22p63s23p5 (2). Cl> P > S (3). Cl> S > P (4). sp3 (5). V形 (6). 8 (7). (8). > (9). Mg2+半徑比Ni2+小，MgO的晶格能比NiO大 (10). (1，，) (11). 8 (12). (13).

【解析】

【分析】

(1)Cl爲17號元素，結合核外電子的排布規律書寫基態 Cl原子的電子排布式；同週期隨原子序數增大，元素第一電離能呈增大趨勢，半滿穩定狀態，能量較低，第一電離能高於同週期相鄰元素；元素的非金屬*越強，電負*數值越大；

(2)根據價層電子對個數=σ鍵個數+孤電子對個數計算SCl2中S原子雜化軌道數分析解答；

(3)CO分子中C與O之間形成三鍵，其中有一個爲配位鍵，CO與中心原子間形成4個配位鍵，據此解答；

(4)Mg2+半徑比Ni2+小，結合晶格能的大小分析判斷；

(5)根據圖示，C離子的x系座標與B的x系座標相同，y、z系座標都在中點上；

(6)金剛石晶胞中有4個碳原子位於晶胞內部，每個頂點每個面心上各有1個原子；碳原子與周圍相接觸的4個碳原子形成正四面體，頂點碳原子與正四面體中心碳原子連線處於晶胞體對角線上，二者距離等於晶胞體對角線長度的，據此計算r，從而計算該晶胞中所有C原子的體積和晶胞體積，結合原子空間利用率=分析計算。

【詳解】(1)Cl爲17號元素，基態 Cl原子的電子排布爲1s22s22p63s23p5；同週期隨原子序數增大，元素第一電離能呈增大趨勢，P元素原子3p能級爲半滿穩定狀態，能量較低，第一電離能高於同週期相鄰元素，故第一電離能：Cl＞P＞S；元素的非金屬*越強，電負*數值越大，P、S、Cl的電負*由大到小順序爲Cl> S > P，故*爲：1s22s22p63s23p5；Cl＞P＞S；Cl> S > P；

(2)SCl2中S原子雜化軌道數爲2+(6-2)=4，採取sp3雜化，含有兩對孤電子對，所以該分子構型爲V形，故*爲：sp3；V形；

(3)Ni與CO能形成配合物Ni(CO)4，1個CO中含有1個配位鍵，CO與中心原子間形成4個配位鍵，因此一個Ni(CO)4分子中8個配位鍵；CO分子中C與O之間形成三鍵，其中有一個爲配位鍵，CO分子的結構式爲，故*爲：8；；

(4)Mg2+半徑比Ni2+小，所以氧化鎂的晶格能大於氧化鎳，則熔點：MgO＞NiO，故*爲：＞；Mg2+半徑比Ni2+小，MgO的晶格能比NiO大；

(5)NiO晶胞中離子座標參數A爲(0，0，0)，B爲(1，1，0)，而C離子的x系座標與B的x系座標相同，y、z系座標都在中點上，所以C離子座標參數爲(1，，)，故*爲：(1，，)；

(6)金剛石晶胞中有4個碳原子位於晶胞內部，每個頂點每個面心上各有1個原子，該晶胞中C原子個數=8×+6×+4=8；碳原子與周圍相接觸的4個碳原子形成正四面體，頂點碳原子與正四面體中心碳原子連線處於晶胞體對角線上，且二者距離等於晶胞體對角線長度的，晶胞體對角線長度等於晶胞邊長的倍，則2r=a，則r=a；該晶胞中所有C原子體積=8×πr3、晶胞體積=a3，原子空間利用率====π，故*爲：8；；π。