用“漏极”造句大全，漏极造句

在阿拉斯加近海的原油泄漏极大地破坏了那里的生态系统。

该晶体管还包括第一导电类型的漏极区，该漏 极区与不同于第一半导体区的第二半导体区电连通。

实验结果表明：阱和源漏极离子注入制程对浅沟道隔离*能有很大的影响。

机械晶体管，更确切地可以称之为纳米电子机械系统（NEMS）晶体管，它可以在源极和漏极之间机械地构建或消除连接。

在一种可替代的电路中，每个负载器件(M3,M4)的衬底都与它的漏极相连，并且被偏置在弱反型区工作。

与漏极开路输出的六反相器。

可变电阻区功率MOSFET漏极减小到额定的值。

作为开关器件，AMLCD中的TFT工作在饱和模式，其源极总是连接数据总线(视频)，漏极接像素电极。

辐照中器件采用不同电压偏置，并在辐照前后对器件的源漏极间泄漏电流、阈值电压漂移及跨导特*进行测量。

基于流体动力学能量输运理论，对槽栅PMOSFET器件的端口特*进行了*研究，包括栅极特*、漏极驱动能力和抗热载流子*能等。

为了使砷化镓场效应管具有建立振荡所需的负阻，我们将其配置为共源结构并在漏极添加合适的开路微带线。

各种MOSFET测试都要求进行弱电流的测量。这些测试包括栅极漏电、泄漏电流与温度的关系、衬底对漏极的漏电和亚阈区电流等。

沟道掺杂浓度提高，同样的界面态密度造成的漏极特*漂移增大。

此外，漂移区采取线*变掺杂，掺杂浓度自阱区到漏极方向逐渐增大，很好地优化了横向电场分布。

浮动栅极定位于源极区与漏极区之间。

双重扩散漏极结构层用以作为一高压电容的下电极板。

通过在存储器单元的衬底区域与存储器单元的源极区域及存储 器单元的漏极区域中至少一个之间测量电流，来*作一种具有电荷捕 捉结构的存储器单元。

虚拟存储单元行包括第二导电型源极区和第二导电型漏极区。

“喜欢，陆叔叔的名字也取得好，很具有*事前瞻*，不愧是我朝第一大将*。”可不是嘛，陆海空，你霸气侧漏极了。

在热载流子应力条件下，器件的退化主要是由于在漏极附近由热载流子产生的损伤缺陷引起的。

在半导体中的源极区和漏极区可以限定晶体管栅极长度。

该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。