用“阈值电压”造句大全，阈值电压造句

也研究了在此气压范围内火花室阈值电压与气压和间隙宽度的关系。

研究外电场作用下向列液晶盒的阈值电压随锚定强度、**系数等各种参数的变化关系。

辐照中器件采用不同电压偏置，并在辐照前后对器件的源漏极间泄漏电流、阈值电压漂移及跨导特*进行测量。

本文设计了一套适合多种工艺的阈值电压均匀*研究测试版图，包括多种材料参数和工艺参数测试图形。

这个峰值电压设置为阈值电压，用来计算仪器的电压响应曲线。

相应地，该晶体管的阈值电压及栅源极电压也可降低。

提出了一种不同阈值电压反相器控制的传输门组合结构。

本文首先建立了一个SOIMOSFET器件的直流漏电流模型和阈值电压模型，模型考虑了速度饱和效应。

本论文着重论述未来cmos进入纳米尺寸的关键挑战，如：电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互连线延迟等影响。

往一种极*和非极*液晶混合物中添加3%的这些化合物，可以大大降低液晶混合物的阈值电压，而只引起粘度的小量增加。

如此形成的晶体管的阈值电压由保持在浮动栅极上的电荷量控制。

也研究了在此气压范围内火花室阈值电压与气压和间隙宽度的关系

一示范*实施例包括：当在编程*作期间对一串中的将被编程的最末字线进行编程时，使用用于选择物理状态的较低阈值电压检验电平。

一百另外，栅极电压约为阈值电压，它依赖于集成电路装置设计。

本文介绍了VVMOSFET和NMOSFET单片集成时阈值电压容差的理论估算和工艺试验结果，二者符合得较好。

提出了一种DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型。

提出了一种能够自产生基准电压和偏置电流，并且锁定阈值电压和迟滞量稳定的新型欠压锁定电路。

推导了了一个短沟道MOST阈值电压温度系数表达式；

图8描绘多状态装置中关于从经擦除状态到经编程状态的双通过编程的阈值电压分布的示范**。

通过公式计算得出的电路阈值电压与模拟结果一致。