用“刻蚀”造句大全，刻蚀造句

通过深紫外光刻和感应耦合等离子刻蚀设备，制备了所设计的器件。

对硅的干法刻蚀技术是现代半导体工业中非常重要的一项工艺。

即缺陷接地结构，它是近年来提出的一种在微波平面电路接地版上刻蚀出非周期形状的结构。

通过优化刻蚀参数，获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的soi脊形波导。

列举一些对本技术发展带有突破*意义的里程碑，并叙述干法刻蚀技术在微电子学和光电子学等重要应用领域的作用。

该器件采用一次深刻蚀与一次浅刻蚀，从而屏蔽掉“静态镜面”的影响。

介绍了一种无刻蚀直流镀铁工艺。

田纳西河刻蚀着坎伯兰高原的东部边缘.

更精细的刻蚀技术可以孕育更高*能的微芯片，而这仅仅是开始。

不能采用更短波长的激光进行芯片刻蚀已经限制了（芯片制造商）在硅晶上设计更精细的电路。

本发明公开了一种刻蚀停止层，包括在衬底上形成的含氮的碳化硅层，以及位于所述碳化硅层之上的氮化硅层。

通常，所有暴露在刻蚀剂中的材料都具有一定的刻蚀速率。

目前，刻蚀技术已经成为集成电路生产中的标准技术，干法刻蚀设备亦成为关键设备。

与传统湿法腐蚀比较，干法刻蚀具有各向异*、对不同材料选择比差别较大、均匀*与重复*好、易于实现自动连续生产等优点。

去除热损伤的方法是仔细切削本体金属，然后，再做一次回火刻蚀检查，确保切削工作没有产生进一步的热损伤。

等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术。

并且详细论述离子刻蚀的原理以及离子源的参数设计。

运用相位掩模法刻蚀光纤光栅，该方法对光源的时间相干*和单**要求较低，工艺简单，成品率高。

本文以金属刻蚀去胶腔为背景，简述干刻清洗工艺开发和评价过程。

曲轴修理过程中进行曲轴剩余强度校核十分重要，结合董氏无刻蚀镀铁工艺修复十分可靠。文中以某轮曲轴修复为例，介绍了镀铁修复工艺及曲轴强度校核计算。

通过对光刻工艺过程的研究，可为较好地控制正*光刻胶面形，制作微机械、微光学器件提供了参考依据，对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义。

剂中的材料都具有一定的刻蚀速率。

采用反应离子刻蚀，各向异*化学腐蚀及自限制热氧化过程在soi衬底上制备出高质量的超精细硅量子线。