用“态密度”造句大全，态密度造句

同时对钛*钡系ptcr半导瓷界面态的组成进行了研究，并提出一种直接测量界面态密度的方法。

利用传输矩阵和散*态方法计算了厚度梯变超晶格与大尺寸微腔超晶格的透*谱、态密度以及光场分布。

你们可以看到两个轨道，靠在一起相长叠加，这就是为什么中间的电子态密度增加了。

从计算出的态密度还发现，正六边形原子面和锯齿形原子链中的电子受到不同程度的“od”量子限制。

态密度越高越好。

沟道掺杂浓度提高，同样的界面态密度造成的漏极特*漂移增大。

本文讨论非晶材料中局域声子存在条件及其态密度估计.

根据这种方法，我们研究了*等离子体处理对多晶硅薄膜晶体管禁带态密度的影响。

在严格考虑泡利不相容原理的前提下，我们导出了任意单粒子哈密顿量的多粒子、多空穴能态密度的精确的、一般的公式。

在此基础上，用冻结势方法计算了该超晶格系统的价带带阶；用四面体方法计算了该系统的联合态密度。

本文基于局域密度泛函理论（LDF）和LMTO-ASA方法，计算了稳定的六角结构碳化钨和碳化钼的自洽能带结构，总态密度和分波态密度。

从理论上给出了微观系统在有限温度下态密度用松原函数表示的表达式。

然后逐点计算局域态密度发现，在实空间准束缚态是一个非常局域化的效应，离开缺陷即迅速衰减。

从声子态密度的一般计算方法出发计算了准二维和准一维碳纳米管的声子态密度。

我们计算了声子态密度曲线，并与均匀合金的情况及不考虑力常数无序的情况作了比较。

两侧*状腺形态密度如常

我们使用了动态密度泛函理论对三杂臂星型共聚物以及线*均聚物的共混体系进行了研究。

观察到轻、重空穴对应的激子吸收峰（LH和HH）及台阶状态密度。

体系的态密度投影到半导体碳纳米管上，纳米管的能隙消失，电子在金属和碳纳米管之间转移的过程中不存在静电势垒。

本文讨论非晶材料中局域声子存在条件及其态密度估计。