用“光致发光”造句大全，光致发光造句

光致发光结果受到氙灯的光强、温度及薄膜表面的平整度等因素的限制，使得结果可比*差。

发现光致发光峰位随多孔度增加而蓝移的数值远小于量子限制模型预期的结果。

此外，氧化锌奈米阵列的光致发光特*与胶体颗粒的晶粒大小、结晶*及表面化学特*有关。

研究了低能质子注入诱导的界面混合和快速热退火对量子点发光效率的影响，对其光致发光峰强进行了拟合计算。

报道多孔硅的表面钝化对其光致发光和电致发光的影响。

相对强的激光聚焦有利于获得较好的光致发光光谱。

我们认为很可能是多孔硅内表面的氧化作用使光致发光峰位蓝移，由氧化作用产生的非辐*复合中心导致光致发光效率的下降。

由于第一层量子点与其他四层量子点的大小、形状不同，导致量子点光致发光峰的半高宽增加。

我们还使用常用的材料表征技术对这些纳米线进行了表征，并测量了几种纳米线结构的吸收光谱与光致发光光谱。

一种光致发光材料，其包含掺杂有至少一种稀土元素活化剂的卤素取代的碱土金属铝*盐的组合物。

研究了以掠入*的平面偏振光激励的多孔硅的光致发光。

光致发光过程就是高能量光子照*到晶体上之后，晶体所产生的电子一空穴对的辐*复合过程。

由于在光电导体、光致发光、非线*光学等方面广阔的应用前景，主族金属硫属化合物的研究受到人们的重视。

较详细地综述了光致发光材料的研究进展，并描述了光致发光材料的发光原理。

将一种经可见光激发后能储藏能量、其余辉时间较长的长余辉荧光粉加入聚*基*烯**酯（PMMA）透明塑料中，制成光致发光材料。

研究了有机半导体lppp光微腔调谐发光二极管光致发光的*质。

利用离子注入技术，对稀土掺杂到半导体单晶硅中的光致发光行为进行了研究。

本文介绍了ps的光致发光机理与特*研究的一些最新进展。

本文对发光塑料的基材及添加剂进行了选择，重点研究了不饱和聚酯光致发光塑料的成型条件，成型工艺。

同时，随着退火温度升高，光致发光光谱的峰值能量位置移向低能。